光刻就是利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕將光掩膜上的圖形轉移到襯底上，是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟。光刻掩膜板的基本原理是利用光刻膠感光后發生光化學反應而具備耐蝕性的特點，將掩膜版上的圖形刻制到被加工表面上。所以光刻機主要性能指標與光源及機器精度密切相關。

　　與光源相關的性能指標有：光源波長、光強均勻性。

　　與機器精度相關的性能指標有：光刻精度、曝光方式、對準精度