無掩膜版光刻即不采用光刻掩膜版的光刻技術，主要分為兩類，即帶電粒子無掩膜光刻和光學無掩膜技術。

無掩膜光刻具備分辨率高、成本較低等優勢，同時也面臨著生產效率低的問題。電子束之間的干擾易造成鄰近效應，耗時長，激光束準確度不穩定，與現有成熟工藝兼容不夠等都是想要進入量產階段需要克服和解決的問題。