掩膜版早期是以1:1的比例緊貼在硅晶圓上，通常由各個半導體公司自行設計工具來進行掩膜版曝光，GCA、K&S和Kasper等公司也會提供部分相關設備。直到上世紀六十年代初，美國仙童半導體發明了沿用至今的掩膜版曝光刻蝕技術。

　　與此同時，光刻機也從1960年代的接觸式光刻機、接近式光刻機，發展到現在的EUV光刻機。技術的發掘與設備性能的不斷提高，推動集成電路往前迅速發展。