2003年，光刻掩膜版的90nm工藝的主流光刻技術(shù)是193nm準(zhǔn)分子激光掃描分布投影光刻機（ArF Scanner），全球的光學(xué)光刻機巨頭Nikon、ASML和CANON都推出了193nm ArF Scanner。

　　特征尺寸為45nm的光刻技術(shù)包括193nm ArF干法光刻技術(shù)、193nm ArF浸沒式光刻技術(shù)二次成像與二次曝光技術(shù)、帶有其他液體的193nm浸沒式光刻技術(shù)、極短紫外光刻技術(shù)（EUV）以及無掩膜光刻技術(shù)。

　　在上述納米尺寸光刻加工涉及到的工藝技術(shù)中，可以了解到除了無掩膜光刻技術(shù)和納米壓印光刻技術(shù)，都可以進行掩膜版光刻。我們不能否認(rèn)的是，掩膜版成本較高至今還是納米工藝達(dá)到量產(chǎn)的難點之一。